”Vi vill utveckla nästa generations kraftelektronik”

Forskningsinstitutet Rise får via EU-finansierade projektet UltimateGan 20 miljoner kronor till att utveckla effektivare kraftelektronik. Vid Rise Lundaenhet kommer två personer initialt arbeta med projektet. – Tillsammans med ett europeiskt konsortium som leds av Infineon vill vi utveckla nästa generations kraftelektronik i ett material som heter galliumnitrid, GaN. Vi vill förbättra effektiviteten i elektronik genom att utveckla bättre halvledarkomponenter som används i exempelvis nätaggregat…