Ideonföretaget Hexagem får 22 miljoner kronor i EU-stöd, i utlysningen SME Instrument fas 2, för att fortsätta utveckla och göra en prototyp av nya halvledarmaterialet GaN. Dessutom tar bolaget in fyra miljoner kronor i en nyemission där Almi Invest är den största investeraren.
Bolaget ska fortsätta utvecklingen av sin produktionsmetod baserad på nanoteknologi för att ta fram det nya halvledarmaterialet galliumnitrid, GaN. I dag används kiselbaserade material, men enligt Jonas Ohlsson, utvecklingschef och medgrundare på Hexagem, vill branschen komma ifrån dessa och i stället använda GaN. GaN skulle ge mycket mer energieffektiva kraftöverföringar av el.
– Vår stora expansion sker nu. Målet är att inom ett par år ha samarbete med en eller två kunder kring produktion av GaN. Vi har redan kontakt med de stora aktörerna i kraftelektronikindustrin genom EU-projektet Ultimate GaN. När vi kan göra materialet tillräckligt bra kan det ganska direkt börja användas av nuvarande producenter av halvledare, säger Jonas Ohlsson.
Fysikaliskt är GaN det bästa materialet man känner till, enligt Jonas Ohlsson. Men en av stötestenarna är att få en produktionsmetod som ger ett tillräckligt bra material. GaN förekommer nämligen inte i flytande form, som nuvarande kiselbaserade material, så bolaget – och resten av forskarvärlden i området – jobbar på andra lösningar.
Bolaget som i huvudsak är forskarägt har tidigare tagit in ett par miljoner kronor, från Almi Invest. Bolaget grundades 2015 av bland andra Jonas Ohlsson, Lars Samuelsson, Kristian Storm och Bart Markus – en nederländsk riskkapitalist som tidigare var styrelseordförande i GLO.
Elisabet Ottosson
